Buscando oscilaciones de THz en dispositivos semiconductores planares

El desarrollo de dispositivos electrónicos compactos capaces de generar señales en la banda de los THz (10^12 Hz) es esencial para el avance de las numerosas aplicaciones que surgen en esta región del espectro electromagnético. Una tecnología emergente son nuevos dispositivos basados en el efecto Gunn, con geometría planar frente a los tradicionales diodos verticales, y fabricados con InGaAs y GaN como alternativa al GaAs e InP para intentar alcanzar mayores frecuencias de funcionamiento y potencias de emisión.